快科技8月2日讯息，据TheElec，三星电子位于龙仁市器兴园区的8英寸氮化镓（GaN）半导体晶圆代工产线，在试坐蓐阶段碰到可靠性瓶颈。
部分芯片在100至200摄氏度高温环境下捏续开头约1000小时后出现失效，原定于本年内量产的观点预测将被动延后。
该产线为专用于GaN代工的8英寸线，联想月产能为1300至1500片晶圆。近期已为多家无晶圆厂客户完成试流片，但在后续可靠性考证中，问题逐步泄漏。
这次失效成功影响GaN芯片的中枢哄骗价值——高温强壮性。GaN功率半导体主要面向1200V高压及擢升200℃的高温场景，普通用于电动汽车、工业机器东谈主和AI数据中心供电等边界。若高温长久可靠性无法保证，现时工艺节点下产出的芯片将难以交易化。
三星已启动根因走访，要点聚焦晶圆制造工艺步调。业内分析合计，此前为竣事预期器件性能而进行的工艺优化相易，可能是诱发可靠性问题的要道身分。
此外，三星的GaN外延片总计禁受自研工艺，使用入口MOCVD开荒在硅晶圆上滋长氮化镓功能层。若外延层晶体质地或界面结构未充分优化，在高温高压长久使命条目下，里面弊端将被放大，最终导致失效。
另有知情东谈主士清楚，三星此前为将器件阈值电压压低至2~3伏的观点区间，过度追求接近2伏的行业基准，却淡薄了参数优化对器件长久寿命的潜在影响。阈值电压过低会使器件对狭窄电流产生误反馈，显赫增多开头出错概率。
该产线的缔造程度此前已历经屡次相易。2023年三星重组LED业务、竖立化合物半导体处置决议（CSS）部门时，当先策画2025年建成专用GaN产线，后因功率半导体市集需求不足预期，将量产节点推迟至2026年底。业内判断，本次可靠性问题梗概率会使技术表再延后数月。
在GaN代工边界，三星已瓦解过时于竞争敌手。英飞凌、意法半导体、德州仪器、英诺赛科等厂商已交易出货GaN芯片一至两年，部分无晶圆厂客户已在评估格芯、力积电、X-FAB等替代代工伙伴。
针对上述情况，三星电子联系肃穆东谈主回话称，技俩仍处于预坐蓐阶段，正在攻克大边界量产前的旧例开发挑战。“这属于试产阶段浩荡的问题排查经过，现阶段就判定联系面孔为产物弊端还为先锋早。”
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