三星的 V-NAND 技艺取得了长足的越过云开体育，在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 天然该公司在进一步彭胀方面濒临着浩大挑战，但它仍然有信心在 NAND 芯片中安设至少 400 层闪存单位。 若是一切按商酌进行，量产将于来岁年底运转。
三星的第九代280层V-NAND闪存最近才运转量产，首批商用产物瞻望将于来岁上架。 不外，据《韩国经济日报》报说念，该公司也曾为其第 10 代 400 层 V-NAND 技艺设定了见利思义的指标。
连年来，该规模的竞争愈演愈烈，主要原因是东说念主工智能欺诈的需求不休增长，同期耗尽者对更大容量、更实惠的闪存存储的需求也在不休增长。
三星现在占据 37% 的启程点市集份额，但跟着好意思光、长江存储、SK 海力士和 Kioxia 等竞争敌手加快修复更高密度的 3D NAND，保握这一地位正濒临越来越大的挑战。
SK Hynix 商酌在 2025 年底运转分娩 400 层 NAND，瞻望在 2026 年上半年全面投产。 这促使也对准了相同的时候表，因为其较小的韩国竞争敌手在已往两年中取得了浩大的市集份额。
堆叠 400 层或更多层 NAND 并非易事，因为越过 300 层的堆叠也曾给早期原型产物的可靠性带来了挑战。 为了科罚这个问题，三星商酌选拔三层单位（TLC）架构和一种名为\"垂直粘合 NAND\"（BV NAND）的新技艺，这种技艺将存储单位和外围电路区别到不同的晶圆上，然后以垂直结构将它们粘合在一皆。
与外围单位（CoP）NAND 缱绻比拟，这种才智还有助于三星完满更高的制造良率。 该公司称，其密度可达 28Gb/mm²，即每个裸片 1Tb (128GB)，仅略低于第九代四级单位 (QLC) 架构的密度。 此外，每引脚 5.6Gb/s 的数据传输速率比以前缱绻的 3.2Gb/s 最大传输速率有了显赫的性能普及。
表面上，翌日三星固态硬盘的容量可达 16TB，相连读写速率接近 PCIe 5.0 x4 接口的极限。
三星将在行将于 2025 年 2 月举行的国外固态电路大会上更注意地先容这一出息广泛的新式 V-NAND 架构。